창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC0501NSIATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC0501NSI | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-channel, 쇼트키, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 33nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001288140 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC0501NSIATMA1 | |
관련 링크 | BSC0501NS, BSC0501NSIATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 12103C224KAT2A | 0.22µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | 12103C224KAT2A.pdf | |
![]() | 416F384X2IDT | 38.4MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X2IDT.pdf | |
![]() | P51-200-S-I-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-S-I-I12-20MA-000-000.pdf | |
![]() | TNY285KG-TL | Converter Offline Flyback Topology 124kHz ~ 140kHz 12-ESOP | TNY285KG-TL.pdf | |
![]() | BAT240A | BAT240A INFINEON SOT-23 | BAT240A.pdf | |
![]() | ATS100SM-T | ATS100SM-T CTS SMD or Through Hole | ATS100SM-T.pdf | |
![]() | C2767 | C2767 AKM QFN | C2767.pdf | |
![]() | D2MV-01-2C3 | D2MV-01-2C3 OMRON SMD or Through Hole | D2MV-01-2C3.pdf | |
![]() | 6DI150C-060 | 6DI150C-060 FUJI SMD or Through Hole | 6DI150C-060.pdf | |
![]() | F711940PGE | F711940PGE TI QFP | F711940PGE.pdf | |
![]() | 2N2793 | 2N2793 MOT SMD or Through Hole | 2N2793.pdf | |
![]() | RN-PS-US | RN-PS-US Roving Onlyoriginal | RN-PS-US.pdf |