창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC040N10NS5ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC040N10NS5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 95µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC040N10NS5ATMA1-ND BSC040N10NS5ATMA1TR SP001295030 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC040N10NS5ATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC040N10N, BSC040N10NS5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SFR25H0002150FR500 | RES 215 OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR25H0002150FR500.pdf | |
![]() | H8825KBCA | RES 825K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8825KBCA.pdf | |
![]() | 1585CT-3.3 | 1585CT-3.3 EZ TO-220 | 1585CT-3.3.pdf | |
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![]() | S1ON6500 | S1ON6500 ORIGINAL DIP-28 | S1ON6500.pdf | |
![]() | I3-507A-5 | I3-507A-5 HARRIS DIP | I3-507A-5.pdf | |
![]() | MG200Q2YS9 | MG200Q2YS9 TOSHIBA SMD or Through Hole | MG200Q2YS9.pdf |