Infineon Technologies BSC030P03NS3 G

BSC030P03NS3 G
제조업체 부품 번호
BSC030P03NS3 G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
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내부 부품 번호EIS-BSC030P03NS3 G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSC030P03NS3 G
PCN 기타Multiple Changes 09/Jul/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C25.4A(Ta), 100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.1V @ 345µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs186nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds14000pF @ 15V
전력 - 최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지PG-TDSON-8
표준 포장 5,000
다른 이름BSC030P03NS3 G-ND
BSC030P03NS3G
BSC030P03NS3GAUMA1
SP000442470
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BSC030P03NS3 G
관련 링크BSC030P0, BSC030P03NS3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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