창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC019N04LSATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC019N04LS | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001067012 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC019N04LSATMA1 | |
관련 링크 | BSC019N04, BSC019N04LSATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
S101K25X5FN6UJ6R | 100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X5F 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | S101K25X5FN6UJ6R.pdf | ||
5XRC8.515F | Red LED Indication - Discrete 2.2V Radial | 5XRC8.515F.pdf | ||
Y079380R3100V9L | RES 80.31 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y079380R3100V9L.pdf | ||
S816A36AMC BAL T2 | S816A36AMC BAL T2 SEIKO SMD or Through Hole | S816A36AMC BAL T2.pdf | ||
M48Z30Y-100PM1 | M48Z30Y-100PM1 ST DIP | M48Z30Y-100PM1.pdf | ||
78E058B4PL | 78E058B4PL WIN PLCC | 78E058B4PL.pdf | ||
221G | 221G ORIGINAL SMD16 | 221G.pdf | ||
ADS574JU/KU/AU | ADS574JU/KU/AU BB SOP | ADS574JU/KU/AU.pdf | ||
IR16FR40 | IR16FR40 ir SMD or Through Hole | IR16FR40.pdf | ||
R8J6660702FP#RFOS RF | R8J6660702FP#RFOS RF RENESASPb TQFP | R8J6660702FP#RFOS RF.pdf | ||
DDP3316CH8 | DDP3316CH8 ORIGINAL PMQFP-80P | DDP3316CH8.pdf | ||
PYQ1198/3676 | PYQ1198/3676 HEIMANN SMD or Through Hole | PYQ1198/3676.pdf |