창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC014N03MS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC014N03MS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 173nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 139W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC014N03MS G-ND BSC014N03MSG BSC014N03MSGATMA1 SP000394681 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC014N03MS G | |
관련 링크 | BSC014N, BSC014N03MS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
381LR181M400K022 | 180µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 737 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C | 381LR181M400K022.pdf | ||
100R18X106KV4E | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.125" L x 0.062" W(3.17mm x 1.57mm) | 100R18X106KV4E.pdf | ||
GCM1885C2A6R8DA16D | 6.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C2A6R8DA16D.pdf | ||
RBCA-B001B | RBCA-B001B LG WFBGA38P | RBCA-B001B.pdf | ||
UPD65031G-020-12 | UPD65031G-020-12 NEC QFP | UPD65031G-020-12.pdf | ||
L160808V10NJT | L160808V10NJT JKMT SMD0603 | L160808V10NJT.pdf | ||
CS5331-CS | CS5331-CS CAYSTAL SOP | CS5331-CS.pdf | ||
3782A | 3782A LINEAR SMD or Through Hole | 3782A.pdf | ||
UPD17215GT-726-E2 | UPD17215GT-726-E2 NEC SOP28 | UPD17215GT-726-E2.pdf | ||
2N262 | 2N262 ST/MOTO CAN to-39 | 2N262.pdf | ||
PW 4012T 220M | PW 4012T 220M ORIGINAL SMD or Through Hole | PW 4012T 220M.pdf |