창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC011N03LSI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC011N03LSI | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.1m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4300pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 96W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC011N03LSI-ND BSC011N03LSIATMA1 SP000884574 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC011N03LSI | |
관련 링크 | BSC011N, BSC011N03LSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT8924AAB12-33E-24.00000D | OSC XO 3.3V 24MHZ OE | SIT8924AAB12-33E-24.00000D.pdf | |
![]() | DLP0NSC280HL2L | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 28 Ohm @ 100MHz 100mA DCR 1.63 Ohm | DLP0NSC280HL2L.pdf | |
![]() | RK09710EHC08 | RK09710EHC08 ALPS SMD or Through Hole | RK09710EHC08.pdf | |
![]() | SNAJ180A | SNAJ180A VISHAY/RL DO-214SMD | SNAJ180A.pdf | |
![]() | BT138X600E | BT138X600E NXP T0220 | BT138X600E.pdf | |
![]() | MN24-10RK | MN24-10RK M SMD or Through Hole | MN24-10RK.pdf | |
![]() | APL9600 | APL9600 AP SOP8 | APL9600.pdf | |
![]() | TCO-7085X1A2 33.330000MHZ | TCO-7085X1A2 33.330000MHZ EPSONTYCM SMD or Through Hole | TCO-7085X1A2 33.330000MHZ.pdf | |
![]() | GL5EG47 | GL5EG47 SHARP ROHS | GL5EG47.pdf | |
![]() | 1SV271 TG | 1SV271 TG TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SV271 TG.pdf | |
![]() | PTOC29110 | PTOC29110 FOQ SMD or Through Hole | PTOC29110.pdf | |
![]() | MNDSDEED-CX275B-12 | MNDSDEED-CX275B-12 NWOSPEED BGA | MNDSDEED-CX275B-12.pdf |