창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSB280N15NZ3GXUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSB280N15NZ3 G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 60µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 57W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-WDSON | |
공급 장치 패키지 | MG-WDSON-2, CanPAK M™ | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSB280N15NZ3 G BSB280N15NZ3 G-ND BSB280N15NZ3 GTR-ND BSB280N15NZ3G SP000604534 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSB280N15NZ3GXUMA1 | |
관련 링크 | BSB280N15N, BSB280N15NZ3GXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
G6S-2G-TR DC4.5 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | G6S-2G-TR DC4.5.pdf | ||
ERJ-PA3D3301V | RES SMD 3.3K OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D3301V.pdf | ||
TRR03EZPJ474 | RES SMD 470K OHM 5% 1/10W 0603 | TRR03EZPJ474.pdf | ||
RC0100FR-0733KL | RES SMD 33K OHM 1% 1/32W 01005 | RC0100FR-0733KL.pdf | ||
PM111SJ5 | PM111SJ5 PMI DIP | PM111SJ5.pdf | ||
SMAJ16A SMD | SMAJ16A SMD ORIGINAL SMD or Through Hole | SMAJ16A SMD.pdf | ||
IPS040N03L | IPS040N03L Infineon SOT-223 | IPS040N03L.pdf | ||
CSB500E5 | CSB500E5 MURATA SMD or Through Hole | CSB500E5.pdf | ||
OMDX1003 | OMDX1003 CPCLARE DIP6 | OMDX1003.pdf | ||
LM4962TLM | LM4962TLM NS BGA20 | LM4962TLM.pdf | ||
MCR03EZHMJ1R0 | MCR03EZHMJ1R0 ROHM SMD or Through Hole | MCR03EZHMJ1R0.pdf | ||
UCD90124A | UCD90124A TI SMD or Through Hole | UCD90124A.pdf |