창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BM-20657NI | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BM-20657NI | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | ROHS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BM-20657NI | |
| 관련 링크 | BM-206, BM-20657NI 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SIT3807AI-2-33NH | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA | SIT3807AI-2-33NH.pdf | |
![]() | BAS 40 E6327 | DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3 | BAS 40 E6327.pdf | |
![]() | 1N5819-B | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41 | 1N5819-B.pdf | |
![]() | 5022-134F | 130µH Unshielded Inductor 250mA 5.45 Ohm Max 2-SMD | 5022-134F.pdf | |
![]() | TNPW12101M02BETA | RES SMD 1.02M OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101M02BETA.pdf | |
![]() | 25AA080DT-I/MNY | 25AA080DT-I/MNY MICROCHIP TDFN | 25AA080DT-I/MNY.pdf | |
![]() | E3F2DS10B4N | E3F2DS10B4N OMRON PHOTOSWITCHPNP | E3F2DS10B4N.pdf | |
![]() | AAT3113ITP-20 | AAT3113ITP-20 AAT SOT23-8 | AAT3113ITP-20.pdf | |
![]() | BMR610 45/13R2F | BMR610 45/13R2F ERICSSON SMD or Through Hole | BMR610 45/13R2F.pdf | |
![]() | 3728-4002 | 3728-4002 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3728-4002.pdf | |
![]() | MB8416-12L-SK | MB8416-12L-SK FUJITSU DIP | MB8416-12L-SK.pdf | |
![]() | Z84C0110VEC | Z84C0110VEC ZILOG PLCC-44 | Z84C0110VEC.pdf |