창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BLF879P,112 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BLF879P,112 | |
| PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
| PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS(이중), 공통 소스 | |
| 주파수 | 860MHz | |
| 이득 | 21dB | |
| 전압 - 테스트 | 42V | |
| 정격 전류 | - | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 1.3A | |
| 전력 - 출력 | 200W | |
| 전압 - 정격 | 104V | |
| 패키지/케이스 | SOT539A | |
| 공급 장치 패키지 | SOT539A | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 다른 이름 | 568-7552 568-7552-5 568-7552-5-ND 934065468112 BLF879P,112-ND BLF879P112 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BLF879P,112 | |
| 관련 링크 | BLF879, BLF879P,112 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1885C1H7R3DA01D | 7.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H7R3DA01D.pdf | |
![]() | CRGH0603F34K | RES SMD 34K OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F34K.pdf | |
![]() | 250U05A472KN4W | 250U05A472KN4W EPCOS SMD or Through Hole | 250U05A472KN4W.pdf | |
![]() | JWT965 | JWT965 ORIGINAL SSOP-8 | JWT965 .pdf | |
![]() | PCM58 | PCM58 BB DIP28 | PCM58.pdf | |
![]() | BQ24024DRCRG4 | BQ24024DRCRG4 TI/BB QFN-10 | BQ24024DRCRG4.pdf | |
![]() | TEESVC0J227M12 | TEESVC0J227M12 NEC SMD or Through Hole | TEESVC0J227M12.pdf | |
![]() | 5SB421 | 5SB421 SIEMENS SMD or Through Hole | 5SB421 .pdf | |
![]() | MBM29LV160BE90PBT | MBM29LV160BE90PBT FUJ BGA | MBM29LV160BE90PBT.pdf | |
![]() | 4LA | 4LA MICROCHIP TSSOP8 | 4LA.pdf | |
![]() | P87LPC768FD.512 | P87LPC768FD.512 NXP SMD or Through Hole | P87LPC768FD.512.pdf | |
![]() | LAN88711BM | LAN88711BM SMSC SMD or Through Hole | LAN88711BM.pdf |