창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BLF6G22LS-100,112 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BLF6G22LS-100 | |
| PCN 단종/ EOL | EOL 24/Jun/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 2.11GHz ~ 2.17GHz | |
| 이득 | 18.2dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | 29A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 950mA | |
| 전력 - 출력 | 25W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | SOT-502B | |
| 공급 장치 패키지 | SOT502B | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 다른 이름 | 568-8648 934061129112 BLF6G22LS-100 BLF6G22LS-100,112-ND BLF6G22LS-100-ND BLF6G22LS100112 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BLF6G22LS-100,112 | |
| 관련 링크 | BLF6G22LS-, BLF6G22LS-100,112 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | GRM21BR60J107ME15L | 100µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R | GRM21BR60J107ME15L.pdf | |
![]() | KST56MTF | TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23 | KST56MTF.pdf | |
![]() | GM66151-5.0TB5 | GM66151-5.0TB5 GAMMA TO-220-5 | GM66151-5.0TB5.pdf | |
![]() | MTC500A1600V | MTC500A1600V ORIGINAL SMD or Through Hole | MTC500A1600V.pdf | |
![]() | NE5240 | NE5240 PHI SMD or Through Hole | NE5240.pdf | |
![]() | 1212C888-009G | 1212C888-009G WIESONELECTRONICCOLTD SMD or Through Hole | 1212C888-009G.pdf | |
![]() | K5L6532ATM-D870 | K5L6532ATM-D870 SAMSUNG BGA | K5L6532ATM-D870.pdf | |
![]() | NRE-HL123M10V18x40F | NRE-HL123M10V18x40F NIC DIP | NRE-HL123M10V18x40F.pdf | |
![]() | 2SC1622A-T2B-A | 2SC1622A-T2B-A NEC SOT23 | 2SC1622A-T2B-A.pdf | |
![]() | C6487-80010 | C6487-80010 OSRAM DIP-4 | C6487-80010.pdf | |
![]() | MAX1909ET | MAX1909ET ORIGINAL QFN | MAX1909ET.pdf | |
![]() | M66305AFP/FP | M66305AFP/FP ORIGINAL SOP32 | M66305AFP/FP.pdf |