창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BLF6G10S-45,112 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BLF6G10S-45 | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 05/Jul/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 | |
| PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 922.5MHz ~ 957.5MHz | |
| 이득 | 23dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | 13A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 350mA | |
| 전력 - 출력 | 1W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | SOT-608B | |
| 공급 장치 패키지 | CDFM2 | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 다른 이름 | 568-8639 934061036112 BLF6G10S-45 BLF6G10S-45,112-ND BLF6G10S-45-ND BLF6G10S45112 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BLF6G10S-45,112 | |
| 관련 링크 | BLF6G10S-, BLF6G10S-45,112 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | ECA-2DHG4R7BJ | 4.7µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | ECA-2DHG4R7BJ.pdf | |
![]() | WKO472MCPEJGKR | 4700pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.709" Dia(18.00mm) | WKO472MCPEJGKR.pdf | |
![]() | 416F40012CDT | 40MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40012CDT.pdf | |
![]() | LB2016T220K | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 105mA 1 Ohm 0806 (2016 Metric) | LB2016T220K.pdf | |
![]() | 7.680MHZ/20PF | 7.680MHZ/20PF KOAN HC-49S | 7.680MHZ/20PF.pdf | |
![]() | AIC1680-P26PU | AIC1680-P26PU AIC SMD or Through Hole | AIC1680-P26PU.pdf | |
![]() | 47309-2285 | 47309-2285 MOLEX SMD or Through Hole | 47309-2285.pdf | |
![]() | NE1E225M04005 | NE1E225M04005 samwha DIP-2 | NE1E225M04005.pdf | |
![]() | 0805SUG | 0805SUG MOKSAN SMD or Through Hole | 0805SUG.pdf | |
![]() | FCM3216CF-221T06 | FCM3216CF-221T06 TAI-TECH SMD | FCM3216CF-221T06.pdf |