창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BLF6G10LS-200RN:11 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BLF6G10(LS)-200RN | |
| PCN 설계/사양 | Skip Gain Binning 06/Jun/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | RF Power Transistors Transfer 21/Dec/2013 Assembly/Test Site Transfer 14/Nov/2015 Site Chg 30/Jan/2016 | |
| PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 871.5MHz ~ 891.5MHz | |
| 이득 | 20dB | |
| 전압 - 테스트 | 28V | |
| 정격 전류 | 49A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 1.4A | |
| 전력 - 출력 | 40W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | SOT-502B | |
| 공급 장치 패키지 | SOT502B | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 다른 이름 | 568-8638 934063255112 BLF6G10LS-200RN:11-ND BLF6G10LS200RN11 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BLF6G10LS-200RN:11 | |
| 관련 링크 | BLF6G10LS-, BLF6G10LS-200RN:11 데이터 시트, Ampleon USA Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | PM1608-680M-RC | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 860 mOhm Max Nonstandard | PM1608-680M-RC.pdf | |
![]() | MCU08050C1504FP500 | RES SMD 1.5M OHM 1% 1/5W 0805 | MCU08050C1504FP500.pdf | |
![]() | RV2-35V100MU-RR2 | RV2-35V100MU-RR2 ELNA SMD5X5.3 | RV2-35V100MU-RR2.pdf | |
![]() | JTX-2-10TA+ | JTX-2-10TA+ Mini-circuits SMD or Through Hole | JTX-2-10TA+.pdf | |
![]() | AD670TN | AD670TN ORIGINAL DIP | AD670TN.pdf | |
![]() | FSDN311 | FSDN311 ORIGINAL DIP | FSDN311.pdf | |
![]() | KM29C010J-10 | KM29C010J-10 SAMSUNG PLCC32 | KM29C010J-10.pdf | |
![]() | AD5112BCPZ10-1-RL7 | AD5112BCPZ10-1-RL7 AD SMD or Through Hole | AD5112BCPZ10-1-RL7.pdf | |
![]() | HTSICH5601EW/V1 | HTSICH5601EW/V1 NXP UNCASED | HTSICH5601EW/V1.pdf | |
![]() | 827A | 827A VIA BGA | 827A.pdf |