창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BGS12SN6E6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BGS12SN6 Datasheet | |
애플리케이션 노트 | BGS12SN6 Application Note | |
주요제품 | Solid State RF Powered Oven Solution | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Site Addition 16/Apr/2015 Wafer Test Site Transfer 9/Dec/2015 Prod Site Add 2/Feb/2016 | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 스위치 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
주파수 - 하부 | 100MHz | |
주파수 - 상부 | 6GHz | |
절연 @ 주파수 | 21dB @ 6GHz(일반) | |
삽입 손실 @ 주파수 | 0.65dB @ 6GHz | |
IIP3 | - | |
토폴로지 | - | |
회로 | SPDT | |
P1dB | - | |
특징 | - | |
임피던스 | 50옴 | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전압 - 공급 | 1.8 V ~ 3.5 V | |
RF 유형 | Bluetooth, WLAN | |
패키지/케이스 | 6-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | TSNP-6-2 | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | BGS12SN6E6327XTSA1TR SP001068580 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BGS12SN6E6327XTSA1 | |
관련 링크 | BGS12SN6E6, BGS12SN6E6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | 12101K6R8CBTTR | 6.8pF Thin Film Capacitor 100V 1210 (3225 Metric) 0.119" L x 0.098" W (3.02mm x 2.50mm) | 12101K6R8CBTTR.pdf | |
![]() | MDA-25-R | FUSE CERM 25A 250VAC 125VDC 3AB | MDA-25-R.pdf | |
![]() | 8730ETI | 8730ETI MAXIM THINQFN | 8730ETI.pdf | |
![]() | SC411740B | SC411740B MOT DIP | SC411740B.pdf | |
![]() | LJ3553 | LJ3553 ORIGINAL SOP8 | LJ3553.pdf | |
![]() | TMP47C1670V078 | TMP47C1670V078 TOS DIP | TMP47C1670V078.pdf | |
![]() | MBRB1660CT | MBRB1660CT ON TO-263 | MBRB1660CT.pdf | |
![]() | D45V128821G5-A75 | D45V128821G5-A75 ORIGINAL TSOP | D45V128821G5-A75.pdf | |
![]() | BW-S10W2 | BW-S10W2 MINI SMD or Through Hole | BW-S10W2.pdf | |
![]() | TLV1117CDCYG3 | TLV1117CDCYG3 TI SMD or Through Hole | TLV1117CDCYG3.pdf | |
![]() | GRP-310S | GRP-310S ORIGINAL SMD or Through Hole | GRP-310S.pdf |