창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BFN26E6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BFN24, BFN26 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 300V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 10V | |
전력 - 최대 | 360mW | |
주파수 - 트랜지션 | 70MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BFN 26 E6327 BFN 26 E6327-ND BFN 26 E6327TR-ND BFN26E6327 BFN26E6327BTSA1 BFN26E6327XT SP000014785 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BFN26E6327HTSA1 | |
관련 링크 | BFN26E632, BFN26E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ABM8AIG-13.560MHZ-12-2Z-T3 | 13.56MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8AIG-13.560MHZ-12-2Z-T3.pdf | ||
RGPP1Q | RGPP1Q gulf SMD or Through Hole | RGPP1Q.pdf | ||
FX101 | FX101 CML CAN | FX101.pdf | ||
BF622TA(DA) | BF622TA(DA) ZETEX SOT89 | BF622TA(DA).pdf | ||
FX10A-140P/14-SV1(21) | FX10A-140P/14-SV1(21) HRS SMD or Through Hole | FX10A-140P/14-SV1(21).pdf | ||
MCR10EZHEFLR100 | MCR10EZHEFLR100 ORIGINAL SMD or Through Hole | MCR10EZHEFLR100.pdf | ||
LT1107CS8-5PBF | LT1107CS8-5PBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LT1107CS8-5PBF.pdf | ||
PBYR6045 | PBYR6045 ORIGINAL TO-3P | PBYR6045.pdf | ||
DE-S1100-EG(SA-1100-EG) | DE-S1100-EG(SA-1100-EG) INTEL BGA | DE-S1100-EG(SA-1100-EG).pdf | ||
UPD1723GF-643-3BE | UPD1723GF-643-3BE nEC QFP | UPD1723GF-643-3BE.pdf | ||
MAX11524CUB | MAX11524CUB MAXIM SMD or Through Hole | MAX11524CUB.pdf | ||
UPD6600AGS-J85 | UPD6600AGS-J85 NEC SOP-20 | UPD6600AGS-J85.pdf |