창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BD137G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BD135,137,139 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wafer Site 20/Jun/2014 Assembly/Test Site Transfer 28/Jul/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1555 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1.5A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-225AA, TO-126-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-225AA | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | BD137G-ND BD137GOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BD137G | |
관련 링크 | BD1, BD137G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001CI1-008.0000T | 8MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CI1-008.0000T.pdf | |
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![]() | ERJ-S1TF11R8U | RES SMD 11.8 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF11R8U.pdf | |
![]() | RCP0505B12R0GEB | RES SMD 12 OHM 2% 5W 0505 | RCP0505B12R0GEB.pdf | |
![]() | PTF04BE222Q2N34B0 | PTF04BE222Q2N34B0 MURATA SMD or Through Hole | PTF04BE222Q2N34B0.pdf | |
![]() | 12061C473KAT1A | 12061C473KAT1A ORIGINAL SMD or Through Hole | 12061C473KAT1A.pdf | |
![]() | CDRH6D28-18ONC | CDRH6D28-18ONC ORIGINAL SMD or Through Hole | CDRH6D28-18ONC.pdf | |
![]() | 3582BM | 3582BM BB TO-3 | 3582BM.pdf | |
![]() | CD42FD303J03F | CD42FD303J03F CDE SMD or Through Hole | CD42FD303J03F.pdf | |
![]() | BYD57U | BYD57U Phi SOD-87 | BYD57U.pdf | |
![]() | KM616V4002BJ-15 | KM616V4002BJ-15 SAMSUNG SOJ | KM616V4002BJ-15.pdf |