창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCW60DT116 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 32V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | - | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 380 @ 2mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 주파수 - 트랜지션 | 125MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SST3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCW60DT116 | |
| 관련 링크 | BCW60D, BCW60DT116 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CL21C681JCCNNNC | 680pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C681JCCNNNC.pdf | |
![]() | 12062A600FAT2A | 60pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12062A600FAT2A.pdf | |
![]() | MLG0603P10NJT000 | 10nH Unshielded Multilayer Inductor 250mA 950 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P10NJT000.pdf | |
![]() | N24D15A-2W | N24D15A-2W YHT SMD or Through Hole | N24D15A-2W.pdf | |
![]() | TLE6271 | TLE6271 INFEL HSOP-20 | TLE6271.pdf | |
![]() | NMC-L0603NP0100J25TRPF | NMC-L0603NP0100J25TRPF NIC SMD | NMC-L0603NP0100J25TRPF.pdf | |
![]() | GRM0335C1H1R5CD01D | GRM0335C1H1R5CD01D MURATA SMD or Through Hole | GRM0335C1H1R5CD01D.pdf | |
![]() | LH57512J-15 | LH57512J-15 SHARP CDIP28 | LH57512J-15.pdf | |
![]() | XOMAP710AGZG | XOMAP710AGZG ORIGINAL SMD or Through Hole | XOMAP710AGZG.pdf | |
![]() | DS18S20Z/TR | DS18S20Z/TR MaximIntegratedP SMD or Through Hole | DS18S20Z/TR.pdf | |
![]() | S05KD091 | S05KD091 ORIGINAL SMD or Through Hole | S05KD091.pdf | |
![]() | S1M8662A01-Z070 | S1M8662A01-Z070 Samsung SMD or Through Hole | S1M8662A01-Z070.pdf |