창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BCR583E6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BCR583 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 150MHz | |
전력 - 최대 | 330mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BCR 583 E6327 BCR 583 E6327-ND BCR 583 E6327TR-ND BCR583E6327 BCR583E6327BTSA1 BCR583E6327XT SP000012278 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BCR583E6327HTSA1 | |
관련 링크 | BCR583E63, BCR583E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 0PAL280.X | FUSE AUTOMOTIVE 80A AUTO LINK | 0PAL280.X.pdf | |
![]() | B88069X3560T502 | GDT 800V THROUGH HOLE | B88069X3560T502.pdf | |
![]() | DSB535SB 16.3676MHZ | DSB535SB 16.3676MHZ KDS 4P 5032 | DSB535SB 16.3676MHZ.pdf | |
![]() | EEEFK1H102AM | EEEFK1H102AM PANASONIC SMD or Through Hole | EEEFK1H102AM.pdf | |
![]() | AM028R1-00LF | AM028R1-00LF Skyworks SMD or Through Hole | AM028R1-00LF.pdf | |
![]() | 538E01292 | 538E01292 AMI DIP | 538E01292.pdf | |
![]() | 5JC22 | 5JC22 ORIGINAL BGA | 5JC22.pdf | |
![]() | MDA207G | MDA207G RECTRON SIP4 | MDA207G.pdf | |
![]() | VP1793DRG4 | VP1793DRG4 TI SOP8 | VP1793DRG4.pdf | |
![]() | ERW09-120 | ERW09-120 FUJI SMD or Through Hole | ERW09-120.pdf |