창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BCR133E6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BCR133 | |
| PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1616 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 130MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BCR 133 E6327 BCR133 BCR133E6327 BCR133E6327BTSA1 BCR133E6327XT BCR133INTR BCR133INTR-ND BCR133XTINTR BCR133XTINTR-ND SP000010757 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BCR133E6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BCR133E63, BCR133E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | SIT8208AC-23-18E-30.000000Y | OSC XO 1.8V 30MHZ OE | SIT8208AC-23-18E-30.000000Y.pdf | |
![]() | BC559BTA | TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 | BC559BTA.pdf | |
![]() | RT0805CRE07383KL | RES SMD 383K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE07383KL.pdf | |
![]() | HFW8S-2STE1 | HFW8S-2STE1 FCI SMD or Through Hole | HFW8S-2STE1.pdf | |
![]() | NXP74HC08D | NXP74HC08D NXP SOP14 | NXP74HC08D.pdf | |
![]() | MDB961 | MDB961 STA TRANS | MDB961.pdf | |
![]() | CY7C199-20VC-ISB2-T2 | CY7C199-20VC-ISB2-T2 CY SMD or Through Hole | CY7C199-20VC-ISB2-T2.pdf | |
![]() | 33-1005-* | 33-1005-* RF SMD or Through Hole | 33-1005-*.pdf | |
![]() | DP10D1200T | DP10D1200T Danfuss SMD or Through Hole | DP10D1200T.pdf | |
![]() | 9014CCD | 9014CCD CDIL SMD or Through Hole | 9014CCD.pdf |