홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » BCR 199F E6327

Infineon Technologies BCR 199F E6327

BCR 199F E6327
제조업체 부품 번호
BCR 199F E6327
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
BCR 199F E6327 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BCR 199F E6327 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. BCR 199F E6327 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BCR 199F E6327가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BCR 199F E6327 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BCR 199F E6327 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BCR 199F E6327
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BCR199
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Infineon Technologies
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황판매 중단
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)70mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대250mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-723
공급 장치 패키지PG-TSFP-3
표준 포장 3,000
다른 이름BCR199FE6327XT
SP000014879
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BCR 199F E6327
관련 링크BCR 199F, BCR 199F E6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
BCR 199F E6327 의 관련 제품
1300µF 220V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 85°C ERLA221LIN132KR55M.pdf
RES SMD 100K OHM 0.1% 1/10W 0805 PCF0805-12-100KBT1.pdf
RES 5 OHM 3W 1% AXIAL 43F5R0E.pdf
SAK-XC886CLM-8FRA 5V AC INFINEON ROHS SAK-XC886CLM-8FRA 5V AC.pdf
TD87C51-1 INTEL DIP TD87C51-1.pdf
54F157A/B2C PHILIPS LLCC 54F157A/B2C.pdf
BT138X-800F，127 NXP SMD or Through Hole BT138X-800F，127.pdf
1W200V ORIGINAL SMD or Through Hole 1W200V.pdf
2SB772SG-P UTC SOT-89 2SB772SG-P.pdf
WCM2012F2S-221T04 ORIGINAL SMD or Through Hole WCM2012F2S-221T04.pdf
EB2-5TNUE NEC SMD or Through Hole EB2-5TNUE.pdf