창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BC858CDXV6T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BC858CDXV6T(1, 5) | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Dec/2010 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | BC858CDXV6T1G-ND BC858CDXV6T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BC858CDXV6T1G | |
관련 링크 | BC858CD, BC858CDXV6T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | ECQ-P1H182GZW | 1800pF Film Capacitor 50V Polypropylene (PP) Radial 0.335" L x 0.177" W (8.50mm x 4.50mm) | ECQ-P1H182GZW.pdf | |
![]() | V150LT1PX2855 | VARISTOR 250V 1.2KA DISC 7MM | V150LT1PX2855.pdf | |
![]() | FP30R06YE3BOMA1 | MODULE IGBT CBI E2 | FP30R06YE3BOMA1.pdf | |
![]() | RT0805BRE0721K3L | RES SMD 21.3K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE0721K3L.pdf | |
![]() | 71ADF36-02QAJN | 71ADF36-02QAJN Grayhill SMD or Through Hole | 71ADF36-02QAJN.pdf | |
![]() | SN7447J | SN7447J ON/MOT/TI CDIP16 | SN7447J.pdf | |
![]() | K681000CLP-7L | K681000CLP-7L SAMSUNG DIP-32 | K681000CLP-7L.pdf | |
![]() | 262591-001 | 262591-001 COMPAQ BGA | 262591-001.pdf | |
![]() | AM85C3010BQA | AM85C3010BQA AMD CDIP-40 | AM85C3010BQA.pdf | |
![]() | NASE100M35V5X5.5NBF | NASE100M35V5X5.5NBF NIC SMD or Through Hole | NASE100M35V5X5.5NBF.pdf | |
![]() | HWD202IAE | HWD202IAE ORIGINAL SOP16S | HWD202IAE.pdf | |
![]() | CS5016-SD16B | CS5016-SD16B CRYSTAL DIP40 | CS5016-SD16B.pdf |