창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BC817-25,235 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BC817(W), BC337 | |
| 주요제품 | NXP - I²C Interface | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Fab Materials 23/Apr/2013 Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 45V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-7991-2 933628630235 BC817-25 /T3 BC817-25 /T3-ND BC817-25,235-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BC817-25,235 | |
| 관련 링크 | BC817-2, BC817-25,235 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | SMCG9.0CAHE3/9AT | TVS DIODE 9VWM 15.4VC SMC | SMCG9.0CAHE3/9AT.pdf | |
![]() | TV15C750JB-G | TVS DIODE 75VWM 121VC SMC | TV15C750JB-G.pdf | |
![]() | HRG3216P-5362-D-T5 | RES SMD 53.6K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-5362-D-T5.pdf | |
![]() | RCP2512B220RGTP | RES SMD 220 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B220RGTP.pdf | |
![]() | 822113-2 | 822113-2 AMP SMD or Through Hole | 822113-2.pdf | |
![]() | APM355L | APM355L APM TO252 | APM355L.pdf | |
![]() | XC1736EPDG8C | XC1736EPDG8C XILINX SMD or Through Hole | XC1736EPDG8C.pdf | |
![]() | H5NA90 | H5NA90 ST TO-3P | H5NA90.pdf | |
![]() | 128LQFP(28*28) | 128LQFP(28*28) ASAT QFP128 | 128LQFP(28*28).pdf | |
![]() | NTMD3903R2G | NTMD3903R2G ON NA | NTMD3903R2G.pdf |