창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAV199W,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAV199W | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire Revision 07/May/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1503 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 75V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 110mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 50mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 3µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5nA @ 75V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-4863-2 934054800115 BAV199W T/R BAV199W T/R-ND BAV199W,115-ND BAV199W115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAV199W,115 | |
관련 링크 | BAV199, BAV199W,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | IS61C102420T | IS61C102420T INTEGRATEDSILICONSOLUTION SMD or Through Hole | IS61C102420T.pdf | |
![]() | RWM 8X45 22K 5% BO50 E1 | RWM 8X45 22K 5% BO50 E1 VISHAY Call | RWM 8X45 22K 5% BO50 E1.pdf | |
![]() | FT20-252D | FT20-252D FUNJIN DIP-20 | FT20-252D.pdf | |
![]() | CB3-3C-1.5440-T | CB3-3C-1.5440-T CTS SMD | CB3-3C-1.5440-T.pdf | |
![]() | OP14BICZ | OP14BICZ AD CDIP | OP14BICZ.pdf | |
![]() | A7002R | A7002R SONY QFN | A7002R.pdf | |
![]() | EVL32-060 A50L-0001 | EVL32-060 A50L-0001 FUJI SMD or Through Hole | EVL32-060 A50L-0001.pdf | |
![]() | DM7016J | DM7016J NSC Call | DM7016J.pdf | |
![]() | XC5.168 | XC5.168 SWITEC SMD or Through Hole | XC5.168.pdf | |
![]() | TC74HC08AFN(M) | TC74HC08AFN(M) TOSHIBA NA | TC74HC08AFN(M).pdf | |
![]() | HCPL-4650 | HCPL-4650 AGILENT DIP-8 | HCPL-4650.pdf | |
![]() | LXQ220VSSN560M30BE0 | LXQ220VSSN560M30BE0 Chemi-con NA | LXQ220VSSN560M30BE0.pdf |