창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAR9002ELSE6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAR90 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 80V | |
전류 - 최대 | 100mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 800m옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 250mW | |
패키지/케이스 | 2-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSSLP-2-3 | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | SP000870276 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAR9002ELSE6327XTSA1 | |
관련 링크 | BAR9002ELSE6, BAR9002ELSE6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
PM13666S-1R0M-RC | 1µH Shielded Wirewound Inductor 29A 2.5 mOhm Max Nonstandard | PM13666S-1R0M-RC.pdf | ||
CRA2512-FZ-R050ELF | RES SMD 0.05 OHM 1% 3W 2512 | CRA2512-FZ-R050ELF.pdf | ||
MMK10 | MMK10 EVOX RIFA SMD or Through Hole | MMK10.pdf | ||
IS61C1024-12JI | IS61C1024-12JI ISSI SOJ | IS61C1024-12JI.pdf | ||
2512 1% 0.75R | 2512 1% 0.75R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2512 1% 0.75R.pdf | ||
TSI200B1 | TSI200B1 ST SO8 | TSI200B1.pdf | ||
SEAC51C810-NR7.0. | SEAC51C810-NR7.0. INFINEON PLCC84 | SEAC51C810-NR7.0..pdf | ||
74479787215- | 74479787215- WE SMD | 74479787215-.pdf | ||
OCP3050/A | OCP3050/A OCS SMD or Through Hole | OCP3050/A.pdf | ||
SFM-120-02-S-D-P-TR | SFM-120-02-S-D-P-TR SAM SMD or Through Hole | SFM-120-02-S-D-P-TR.pdf | ||
P74FCT533TSO | P74FCT533TSO ORIGINAL SOP20 | P74FCT533TSO.pdf | ||
CAT28F020G-90T | CAT28F020G-90T ONSEMI SMD or Through Hole | CAT28F020G-90T.pdf |