창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAR8902LRHE6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAR89 | |
PCN 포장 | Package Marking 17/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 80V | |
전류 - 최대 | 100mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 1.5옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 250mW | |
패키지/케이스 | SOD-882 | |
공급 장치 패키지 | PG-TSLP-2 | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | BAR 89-02LRH E6327 BAR 89-02LRH E6327-ND BAR8902LRHE6327XT SP000051043 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAR8902LRHE6327XTSA1 | |
관련 링크 | BAR8902LRHE6, BAR8902LRHE6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 600D396F200DX4 | 39µF 200V Aluminum Capacitors Axial, Can | 600D396F200DX4.pdf | |
![]() | SR501A473KAA | 0.047µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.500" L x 0.200" W(12.70mm x 5.08mm) | SR501A473KAA.pdf | |
![]() | 171224J630P-F | 0.22µF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.260" L x 0.433" W (32.00mm x 11.00mm) | 171224J630P-F.pdf | |
![]() | 105-272JS | 2.7µH Unshielded Inductor 220mA 2 Ohm Max 2-SMD | 105-272JS.pdf | |
![]() | 4310M-101-564 | RES ARRAY 9 RES 560K OHM 10SIP | 4310M-101-564.pdf | |
![]() | LP5951MFX-1.3. | LP5951MFX-1.3. NS SOT23-5 | LP5951MFX-1.3..pdf | |
![]() | QTS-100-01-L-D-EM2 | QTS-100-01-L-D-EM2 samtec/ N A | QTS-100-01-L-D-EM2.pdf | |
![]() | S7540215 | S7540215 LCATEL SMD or Through Hole | S7540215.pdf | |
![]() | 2AG3-0008-G22292A 02 | 2AG3-0008-G22292A 02 AGILENT BGA | 2AG3-0008-G22292A 02.pdf | |
![]() | 71136Q2-811 | 71136Q2-811 REALTEK DIP18 | 71136Q2-811.pdf | |
![]() | 256SJ3AM | 256SJ3AM INTEL BGA | 256SJ3AM.pdf | |
![]() | 7447906 | 7447906 WUR SMD or Through Hole | 7447906.pdf |