창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAR 66 E6327 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1615 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 1 쌍의 직렬연결자 | |
전압 - 피크 역(최대) | 150V | |
전류 - 최대 | 200mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.6pF @ 35V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 1.8옴 @ 5mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 250mW | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BAR 66 E6327-ND BAR66E6327 BAR66E6327BTSA1 BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327INTR BAR66E6327XT SP000010187 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAR 66 E6327 | |
관련 링크 | BAR 66 , BAR 66 E6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
445A25K25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 8pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A25K25M00000.pdf | ||
CRCW121018R7FKEA | RES SMD 18.7 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121018R7FKEA.pdf | ||
RT0805CRB0722KL | RES SMD 22K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB0722KL.pdf | ||
EXB-E10C101J | RES ARRAY 8 RES 100 OHM 1608 | EXB-E10C101J.pdf | ||
CMF501K0500FHEB | RES 1.05K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF501K0500FHEB.pdf | ||
SNJ54HC564J | SNJ54HC564J TEXAS CDIP20P | SNJ54HC564J.pdf | ||
SPUSB1AJT TEL:82766440 | SPUSB1AJT TEL:82766440 LITTELFU SMD or Through Hole | SPUSB1AJT TEL:82766440.pdf | ||
NCS6D4812C | NCS6D4812C MURATA DIP | NCS6D4812C.pdf | ||
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DSS41A05BR | DSS41A05BR REMTECH SIP-4 | DSS41A05BR.pdf |