창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BA885E6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BA595, BA885, BA895 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 50V | |
전류 - 최대 | 50mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.6pF @ 10V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 7옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BA 885 E6327 BA 885 E6327-ND BA885E6327BTSA1 BA885E6327XT SP000010151 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BA885E6327HTSA1 | |
관련 링크 | BA885E632, BA885E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ECS-122.8-20-28A-TR | 12.288MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-122.8-20-28A-TR.pdf | ||
RC1005F4R7CS | RES SMD 4.7 OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F4R7CS.pdf | ||
RCP1206B330RGED | RES SMD 330 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B330RGED.pdf | ||
C25V106 | C25V106 AVX SMD or Through Hole | C25V106.pdf | ||
LS244N | LS244N MOT DIP | LS244N.pdf | ||
STC89C51RC-25-I-PI | STC89C51RC-25-I-PI STC DIP-40 | STC89C51RC-25-I-PI.pdf | ||
EPF10K100ABC6001 | EPF10K100ABC6001 NSC DIPSOP | EPF10K100ABC6001.pdf | ||
R5408N191KH-TR-F | R5408N191KH-TR-F RICOH SOT23-6 | R5408N191KH-TR-F.pdf | ||
5257165B-75 | 5257165B-75 ELPIDA TSOP54 | 5257165B-75.pdf | ||
NJMJRC4558D | NJMJRC4558D JRC SMD or Through Hole | NJMJRC4558D.pdf | ||
GRM39X7R105KA01D | GRM39X7R105KA01D MURATA SMD | GRM39X7R105KA01D.pdf | ||
MT88E41ASR(MT88E41AS) | MT88E41ASR(MT88E41AS) MITEL SOP-16 | MT88E41ASR(MT88E41AS).pdf |