창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BA679S-GS18 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BA679,BA679S | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
| 전류 - 최대 | 50mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 100MHz | |
| 저항 @ If, F | 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | - | |
| 패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-80 MiniMELF | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BA679S-GS18 | |
| 관련 링크 | BA679S, BA679S-GS18 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ200E3/TR13 | TVS DIODE 200VWM SMBJ | SMBJ200E3/TR13.pdf | |
![]() | 1008AM6-1R0J | 1008AM6-1R0J FASTRON 1008- | 1008AM6-1R0J.pdf | |
![]() | K4T51163QB-6 | K4T51163QB-6 SAMSUNG BGA | K4T51163QB-6.pdf | |
![]() | M5M2167P-70 | M5M2167P-70 ORIGINAL DIP-20 | M5M2167P-70.pdf | |
![]() | U311 | U311 INTEL SMD or Through Hole | U311.pdf | |
![]() | A1421600 | A1421600 LTECH SMD or Through Hole | A1421600.pdf | |
![]() | PEF20534H | PEF20534H INFINEON QFP208 | PEF20534H.pdf | |
![]() | LMX1601SLBX/NOPB | LMX1601SLBX/NOPB NS QFN | LMX1601SLBX/NOPB.pdf | |
![]() | 046232107102800+ | 046232107102800+ ORIGINAL SMD or Through Hole | 046232107102800+.pdf | |
![]() | 2N765A | 2N765A ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N765A.pdf | |
![]() | MAX14526EEWP-TCS8 | MAX14526EEWP-TCS8 MAXIM WLP | MAX14526EEWP-TCS8.pdf | |
![]() | MVBP6.3VC10RMD55TP | MVBP6.3VC10RMD55TP NIPPON SMD or Through Hole | MVBP6.3VC10RMD55TP.pdf |