창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BA5839FP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BA5839FP | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP-28 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BA5839FP | |
| 관련 링크 | BA583, BA5839FP 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM2197U1H223JA01D | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2197U1H223JA01D.pdf | |
![]() | 1641-223H | 22µH Shielded Molded Inductor 295mA 960 mOhm Max Axial | 1641-223H.pdf | |
![]() | 5-1462039-7 | RELAY TELECOM 2FORMC/2CO 2A 4.5V | 5-1462039-7.pdf | |
![]() | RNF12FTC33K2 | RES 33.2K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTC33K2.pdf | |
![]() | DDR SGRAM 128M-5 | DDR SGRAM 128M-5 ORIGINAL BGA | DDR SGRAM 128M-5.pdf | |
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![]() | UPD65672GJF | UPD65672GJF NEC QFP | UPD65672GJF.pdf | |
![]() | 2SD2257 | 2SD2257 TOSHIBA TO-126 | 2SD2257.pdf | |
![]() | 125V250MA | 125V250MA ORIGINAL SMD or Through Hole | 125V250MA.pdf | |
![]() | 2AG3-PR06 | 2AG3-PR06 AGILENT BGA | 2AG3-PR06.pdf | |
![]() | TPA200A12 | TPA200A12 ST SMD or Through Hole | TPA200A12.pdf | |
![]() | J7MN-3R-8 | J7MN-3R-8 OMRON-IA SMD or Through Hole | J7MN-3R-8.pdf |