창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B82442H1104K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B82442H | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1780 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | SIMID | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 100µH | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 정격 전류 | 350mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 1.28옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 20 @ 796kHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 6MHz | |
| 등급 | AEC-Q200 | |
| 작동 온도 | - | |
| 주파수 - 테스트 | 796kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2220(5750 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.220" L x 0.197" W(5.60mm x 5.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.197"(5.00mm) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 495-1784-2 B82442H1104K000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B82442H1104K | |
| 관련 링크 | B82442H, B82442H1104K 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | 199D226X96R3CXV1E3 | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 6.3V Radial 0.217" Dia (5.50mm) | 199D226X96R3CXV1E3.pdf | |
![]() | GWF2R500 | 0.4 ~ 2.5pF Trimmer Capacitor 500V Through Hole 0.118" Dia x 0.230" L (3.00mm x 5.80mm) | GWF2R500.pdf | |
![]() | RNF12FTC301K | RES 301K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTC301K.pdf | |
![]() | M34300N4-587 | M34300N4-587 TOSHIBA SMD or Through Hole | M34300N4-587.pdf | |
![]() | CKCL44JB1H102KT010N | CKCL44JB1H102KT010N TDK SMD | CKCL44JB1H102KT010N.pdf | |
![]() | 28.985mhz | 28.985mhz KDS/CTS SMD or Through Hole | 28.985mhz.pdf | |
![]() | AT91SAM9260B | AT91SAM9260B ATMEL QFP | AT91SAM9260B.pdf | |
![]() | MTP005N-011EJ | MTP005N-011EJ MYSON na | MTP005N-011EJ.pdf | |
![]() | KM44C4100T-6 | KM44C4100T-6 SAMSUNG TSOP24P | KM44C4100T-6.pdf | |
![]() | AES1610-C-DF-TR-GO00-AC | AES1610-C-DF-TR-GO00-AC AUTHENTEC SMD or Through Hole | AES1610-C-DF-TR-GO00-AC.pdf | |
![]() | S3C2451X53- | S3C2451X53- SAMSUNG SMD or Through Hole | S3C2451X53-.pdf |