창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B82432T1184K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B82432T | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | SIMID | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 180µH | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 정격 전류 | 140mA | |
| 전류 - 포화 | - | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 7옴최대 | |
| Q @ 주파수 | 20 @ 796kHz | |
| 주파수 - 자기 공진 | 5.5MHz | |
| 등급 | AEC-Q200 | |
| 작동 온도 | - | |
| 주파수 - 테스트 | 796kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-SMD | |
| 크기/치수 | 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | * | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | B82432T1184K000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B82432T1184K | |
| 관련 링크 | B82432T, B82432T1184K 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | 04023C121JAT2A | 120pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023C121JAT2A.pdf | |
![]() | AST3TQ-T-12.800MHZ-50-C-T5 | 12.8MHz LVCMOS TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA | AST3TQ-T-12.800MHZ-50-C-T5.pdf | |
![]() | BZD17C13P-E3-08 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219AB | BZD17C13P-E3-08.pdf | |
![]() | IRFI4019H-117P | MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP | IRFI4019H-117P.pdf | |
![]() | RT0402BRE071K5L | RES SMD 1.5K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE071K5L.pdf | |
![]() | NOIP1SN1300A-QDI | CMOS with Processor Image Sensor 1280H x 1024V 4.8µm x 4.8µm 48-LCC (14.22x14.22) | NOIP1SN1300A-QDI.pdf | |
![]() | IC-JB Y1S34N | IC-JB Y1S34N ORIGINAL SMD | IC-JB Y1S34N.pdf | |
![]() | 56912 | 56912 MURR null | 56912.pdf | |
![]() | ECES2WU181T | ECES2WU181T Panasonic DIP | ECES2WU181T.pdf | |
![]() | LNSA16G502H | LNSA16G502H lat SMD or Through Hole | LNSA16G502H.pdf | |
![]() | VOOV | VOOV ORIGINAL SMD or Through Hole | VOOV.pdf | |
![]() | 2SA1699E | 2SA1699E SANYO TO-92 | 2SA1699E.pdf |