창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B57863S103F40 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B57863S Series | |
| 제품 교육 모듈 | Circuit Protection Offering | |
| 주요제품 | TDK EPCOS Circuit Protection | |
| 카탈로그 페이지 | 2835 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 온도 센서 - NTC 서미스터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴 @ 25°C) | 10k | |
| 저항 허용 오차 | ±1% | |
| B 값 허용 오차 | - | |
| B0/50 | - | |
| B25/50 | - | |
| B25/75 | - | |
| B25/85 | - | |
| B25/100 | 3988K | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 전력 - 최대 | 60mW | |
| 길이 - 리드선 | 1.48"(37.50mm) | |
| 실장 유형 | 프리 행잉 | |
| 패키지/케이스 | 비드 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 495-2149 B57863S 103F 40 B57863S0103F040 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B57863S103F40 | |
| 관련 링크 | B57863S, B57863S103F40 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | NVMFS4C03NWFT3G | MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL | NVMFS4C03NWFT3G.pdf | |
![]() | 35ME1000CA | 35ME1000CA SUNCON DIP | 35ME1000CA.pdf | |
![]() | XCV300ETM-7CFG456 | XCV300ETM-7CFG456 XILINX BGA | XCV300ETM-7CFG456.pdf | |
![]() | 1.5SE350A | 1.5SE350A USA DO-15 | 1.5SE350A.pdf | |
![]() | C6HZ | C6HZ IR SOT163 | C6HZ.pdf | |
![]() | EEUFM1V221L | EEUFM1V221L ORIGINAL SMD or Through Hole | EEUFM1V221L.pdf | |
![]() | n8031ai | n8031ai intel plcc | n8031ai.pdf | |
![]() | J402-J2C | J402-J2C LEACH SMD or Through Hole | J402-J2C.pdf | |
![]() | M68711 | M68711 MIT H50 | M68711.pdf | |
![]() | TB-366 | TB-366 Mini-Circuits NA | TB-366.pdf | |
![]() | DG201AESE | DG201AESE MAXIM SOP16 | DG201AESE.pdf | |
![]() | LTW5SM-JYJZ-45 | LTW5SM-JYJZ-45 OOS SMD or Through Hole | LTW5SM-JYJZ-45.pdf |