창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43584A5478M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43564,84 | |
| PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43584 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 4700µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 450V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 38m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 16A @ 100Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
| 크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 8.728"(221.70mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 24 | |
| 다른 이름 | B43584A5478M000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43584A5478M | |
| 관련 링크 | B43584A, B43584A5478M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
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![]() | M37204MB-51SP | M37204MB-51SP MIT SDIP | M37204MB-51SP.pdf | |
![]() | A38260T3 | A38260T3 ORIGINAL SMD or Through Hole | A38260T3.pdf | |
![]() | microSD2GBMMAGR02GUECA-2MBMK | microSD2GBMMAGR02GUECA-2MBMK SamsungSemicondu SMD or Through Hole | microSD2GBMMAGR02GUECA-2MBMK.pdf | |
![]() | 1329I5 | 1329I5 LINEAR SMD or Through Hole | 1329I5.pdf | |
![]() | 35MV560WXV | 35MV560WXV Sanyo N A | 35MV560WXV.pdf | |
![]() | UG2001-UG2005 | UG2001-UG2005 DIODES DO-15 | UG2001-UG2005.pdf |