창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43511C5108M80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43511,21 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43511 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 450V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 160m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 5.1A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 160m옴 | |
| 리드 간격 | 0.886"(22.50mm) | |
| 크기/치수 | 1.575" Dia(40.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 4.024"(102.20mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
| 표준 포장 | 28 | |
| 다른 이름 | B43511C5108M080 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43511C5108M80 | |
| 관련 링크 | B43511C5, B43511C5108M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
|  | 377LB3I1228T | 122.88MHz LVDS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable | 377LB3I1228T.pdf | |
|  | 74477009 | 470nH Shielded Wirewound Inductor 23.5A 3 mOhm Max Nonstandard | 74477009.pdf | |
|  | ERX-1SJ3R3A | RES 3.3 OHM 1W 5% AXIAL | ERX-1SJ3R3A.pdf | |
|  | Y078528K0000T9L | RES 28K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y078528K0000T9L.pdf | |
|  | 2KUS12N24E | 2KUS12N24E MR SIP54 | 2KUS12N24E.pdf | |
|  | AT45DB041D-SSU-2.5(SL383) | AT45DB041D-SSU-2.5(SL383) ATMEL SMD or Through Hole | AT45DB041D-SSU-2.5(SL383).pdf | |
|  | NTB52N10 | NTB52N10 ORIGINAL D2PAK | NTB52N10 .pdf | |
|  | TX1N752A-1 | TX1N752A-1 MICROSEMI SMD | TX1N752A-1.pdf | |
|  | LQG15HSR10J02(MURATA) | LQG15HSR10J02(MURATA) ORIGINAL SMD or Through Hole | LQG15HSR10J02(MURATA).pdf | |
|  | DHG1000AVS1BAHLDA | DHG1000AVS1BAHLDA AMD PGA | DHG1000AVS1BAHLDA.pdf | |
|  | CL31C332JBCNNNC | CL31C332JBCNNNC SAMSUNG SMD | CL31C332JBCNNNC.pdf |