창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43510B3128M80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43510,20 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43510 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1200µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 385V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 110m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 5000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 5.5A @ 100Hz | |
| 임피던스 | - | |
| 리드 간격 | 0.984"(25.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 3.236"(82.20mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
| 표준 포장 | 66 | |
| 다른 이름 | B43510B3128M080 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43510B3128M80 | |
| 관련 링크 | B43510B3, B43510B3128M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | C3216X7R2E223K115AA | 0.022µF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216X7R2E223K115AA.pdf | |
![]() | VJ1808A562KBCAT4X | 5600pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A562KBCAT4X.pdf | |
![]() | UMH1N-TP | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363 | UMH1N-TP.pdf | |
![]() | KAI-08051-AAA-JP-BA | CCD Image Sensor 3296H x 2472V 5.5µm x 5.5µm 67-CPGA (33.02x20.07) | KAI-08051-AAA-JP-BA.pdf | |
![]() | UC3715N/D | UC3715N/D UC SMD or Through Hole | UC3715N/D.pdf | |
![]() | CS66MLI | CS66MLI ST SOP14S | CS66MLI.pdf | |
![]() | CGA3E2C0G1H030C | CGA3E2C0G1H030C TDK SMD | CGA3E2C0G1H030C.pdf | |
![]() | DD900S17KF4 | DD900S17KF4 eupec SMD or Through Hole | DD900S17KF4.pdf | |
![]() | TPS79913DDCT | TPS79913DDCT TIS Call | TPS79913DDCT.pdf | |
![]() | AZ431 0.5% | AZ431 0.5% AAC SOT-89 | AZ431 0.5%.pdf | |
![]() | TZBX4Z100AE110T00 | TZBX4Z100AE110T00 muRata SMD or Through Hole | TZBX4Z100AE110T00.pdf |