창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43510A3158M80 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43510,20 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43510 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1500µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 385V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 90m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 5000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 6.5A @ 100Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | - | |
크기/치수 | - | |
높이 - 장착(최대) | - | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 4 리드 | |
표준 포장 | 66 | |
다른 이름 | B43510A3158M080 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43510A3158M80 | |
관련 링크 | B43510A3, B43510A3158M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
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![]() | LQH55DN3R3M03L | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 2.9A 50.4 mOhm Max 2220 (5750 Metric) | LQH55DN3R3M03L.pdf | |
![]() | MLG0603S2N2CT000 | 2.2nH Unshielded Multilayer Inductor 400mA 250 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S2N2CT000.pdf | |
![]() | MMB02070C8207FB200 | RES SMD 0.82 OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C8207FB200.pdf | |
![]() | RC0805DR-0734K8L | RES SMD 34.8K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-0734K8L.pdf | |
![]() | CLC422AJP | CLC422AJP NSC DIP8 | CLC422AJP.pdf | |
![]() | DSCR3999/06000781 | DSCR3999/06000781 ZILOG PLCC44 | DSCR3999/06000781.pdf | |
![]() | VM5711POL HY | VM5711POL HY VTC SOP | VM5711POL HY.pdf | |
![]() | HY57V561620CTP-HDR | HY57V561620CTP-HDR HY TSSOP | HY57V561620CTP-HDR.pdf | |
![]() | IDT70T9169L9PF | IDT70T9169L9PF IDT SMD or Through Hole | IDT70T9169L9PF.pdf | |
![]() | G200-850-B3 | G200-850-B3 nVIDIA BGA | G200-850-B3.pdf |