창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43504G2158M60 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43504 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43504 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1500µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 200V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 100m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 3.4A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 120m옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.378" Dia(35.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.654"(42.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
| 표준 포장 | 120 | |
| 다른 이름 | B43504G2158M 60 B43504G2158M060 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43504G2158M60 | |
| 관련 링크 | B43504G2, B43504G2158M60 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | CGA4J3X7R1V105M125AE | 1µF 35V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.047" W(2.00mm x 1.20mm) | CGA4J3X7R1V105M125AE.pdf | |
![]() | CDS15FD181GO3 | MICA | CDS15FD181GO3.pdf | |
![]() | DZ3X056D0L | DIODE ZENER ARRAY 5.6V MINI3 | DZ3X056D0L.pdf | |
![]() | 4232-822K | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor 263mA 3 Ohm Max Nonstandard | 4232-822K.pdf | |
![]() | AT0402DRD07432RL | RES SMD 432 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRD07432RL.pdf | |
![]() | HZ2A2 | HZ2A2 RENESAS DO-35 | HZ2A2.pdf | |
![]() | M48Z512AY-70PM9 | M48Z512AY-70PM9 STM DIP-32 | M48Z512AY-70PM9.pdf | |
![]() | FP6802-27CS3GTR | FP6802-27CS3GTR FITIPOWER SOT-23-5 | FP6802-27CS3GTR.pdf | |
![]() | ESN475M063AE3AA | ESN475M063AE3AA ARCOTRNI SMD or Through Hole | ESN475M063AE3AA.pdf | |
![]() | B39570-X7360-P200 | B39570-X7360-P200 EPCOP SMD or Through Hole | B39570-X7360-P200.pdf | |
![]() | PWR1109 | PWR1109 ORIGINAL SMD or Through Hole | PWR1109.pdf | |
![]() | C061003M6864 | C061003M6864 raltron SMD or Through Hole | C061003M6864.pdf |