창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43504B9107M67 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43504 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43504 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 100µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 400V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 880m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 610mA @ 100Hz | |
임피던스 | 1.09옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 0.984" Dia(25.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.063"(27.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 130 | |
다른 이름 | B43504B9107M 67 B43504B9107M067 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43504B9107M67 | |
관련 링크 | B43504B9, B43504B9107M67 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008AIE2-25S | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.5mA Standby | SIT8008AIE2-25S.pdf | |
![]() | TK8A65W,S5X | MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS | TK8A65W,S5X.pdf | |
![]() | RJK5031DPD-00#J2 | MOSFET N-CH 500V 3A MP3A | RJK5031DPD-00#J2.pdf | |
![]() | ATTNY26L8PU(DIP20) | ATTNY26L8PU(DIP20) ATMEL DIP20 | ATTNY26L8PU(DIP20).pdf | |
![]() | TLV320AIC10C | TLV320AIC10C TI QFP-48 | TLV320AIC10C.pdf | |
![]() | BCM5221A4KMLG | BCM5221A4KMLG BROADCOM QFN | BCM5221A4KMLG.pdf | |
![]() | MAX690MLP/883B | MAX690MLP/883B MAX PLCC | MAX690MLP/883B.pdf | |
![]() | MC908JL8CSP2L | MC908JL8CSP2L MOTOROLA DIP32 | MC908JL8CSP2L.pdf | |
![]() | UPD64101F9-EA3 | UPD64101F9-EA3 NEC BGA | UPD64101F9-EA3.pdf | |
![]() | MT28F400B5 WG-8BET/BE C | MT28F400B5 WG-8BET/BE C MEMORY SMD | MT28F400B5 WG-8BET/BE C.pdf | |
![]() | AGQ200A04 | AGQ200A04 ORIGINAL SMD or Through Hole | AGQ200A04.pdf | |
![]() | NJM2861F04-TE1 | NJM2861F04-TE1 JRC SOT23-5 | NJM2861F04-TE1.pdf |