창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43501B5337M82 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43501 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43501 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 330µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 400m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 2.04A @ 100Hz | |
임피던스 | 490m옴 | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 2.047"(52.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 방사상, 캔 - 스냅인 - 3 리드 | |
표준 포장 | 160 | |
다른 이름 | B43501B5337M 82 B43501B5337M082 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43501B5337M82 | |
관련 링크 | B43501B5, B43501B5337M82 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | 0481002.VXLP | FUSE INDICATING 2A 125VAC/VDC | 0481002.VXLP.pdf | |
![]() | ELL-6RH7R5M | 7.5µH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 80 mOhm Nonstandard | ELL-6RH7R5M.pdf | |
![]() | 3-1419137-7 | General Purpose Relay 4PDT (4 Form C) Socketable | 3-1419137-7.pdf | |
![]() | CMF703K0000BHEK | RES 3K OHM 1.75W 0.1% AXIAL | CMF703K0000BHEK.pdf | |
![]() | GS503J1K | NTC Thermistor 50k Bead, Glass | GS503J1K.pdf | |
![]() | MMSZ5246--16V | MMSZ5246--16V CHANGHAO SMD or Through Hole | MMSZ5246--16V.pdf | |
![]() | MD2200-D8/D16/D32 | MD2200-D8/D16/D32 ORIGINAL WSOCKET | MD2200-D8/D16/D32.pdf | |
![]() | C2Z2618005 | C2Z2618005 SUSUMU SMD or Through Hole | C2Z2618005.pdf | |
![]() | OSC5*7 4.032MHz | OSC5*7 4.032MHz ORIGINAL SMD or Through Hole | OSC5*7 4.032MHz.pdf | |
![]() | PST8211NR | PST8211NR MITSUMI SOT-25 | PST8211NR.pdf | |
![]() | K4S641632H-UC75T | K4S641632H-UC75T Samsung SMD or Through Hole | K4S641632H-UC75T.pdf |