창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43501A1227M80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43501 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43501 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 220µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 160V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 530m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 1.1A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 730m옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.866" Dia(22.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.063"(27.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
| 표준 포장 | 320 | |
| 다른 이름 | B43501A1227M 80 B43501A1227M080 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43501A1227M80 | |
| 관련 링크 | B43501A1, B43501A1227M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | 520M10DT38M4000 | 38.4MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2.5mA | 520M10DT38M4000.pdf | |
![]() | S0402-4N7J2C | 4.7nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 150 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-4N7J2C.pdf | |
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![]() | ULN2803AFWG(SO18-7.2mm)ULN2803APG(DIP18) | ULN2803AFWG(SO18-7.2mm)ULN2803APG(DIP18) TOSHIBA SOP18(7.2mm) | ULN2803AFWG(SO18-7.2mm)ULN2803APG(DIP18).pdf | |
![]() | TSB840M | TSB840M Truesemi SMD or Through Hole | TSB840M.pdf | |
![]() | R3478 | R3478 ZILOG DIP | R3478.pdf | |
![]() | AOTSY0108VXZ | AOTSY0108VXZ ORIGINAL QFP | AOTSY0108VXZ.pdf | |
![]() | AF82801JB ES | AF82801JB ES INTEL BGA | AF82801JB ES.pdf | |
![]() | D240909D-1W = NN1-24D09ID | D240909D-1W = NN1-24D09ID SANGMEI DIP | D240909D-1W = NN1-24D09ID.pdf | |
![]() | SKM500GAL123DS | SKM500GAL123DS Semikron SMD or Through Hole | SKM500GAL123DS.pdf |