창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43305B2158M80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43305 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43305 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 1500µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 200V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 85m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 3.44A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 120m옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 1.181" Dia(30.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.457"(37.00mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
| 표준 포장 | 160 | |
| 다른 이름 | B43305B2158M 80 B43305B2158M080 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43305B2158M80 | |
| 관련 링크 | B43305B2, B43305B2158M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
| 510MAB-CBAG | 170MHz ~ 212.5MHz CMOS, Dual (In-Phase) XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 26mA Enable/Disable | 510MAB-CBAG.pdf | ||
![]() | BZT52C3V3-7-F | DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123 | BZT52C3V3-7-F.pdf | |
![]() | RCP1206B20R0GS6 | RES SMD 20 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B20R0GS6.pdf | |
![]() | Y002814K4900T29L | RES 14.49K OHM 1W 0.01% AXIAL | Y002814K4900T29L.pdf | |
![]() | R6628-15 | R6628-15 ROCKWELL DIP | R6628-15.pdf | |
![]() | CS4280-CQEP | CS4280-CQEP N/A QFP | CS4280-CQEP.pdf | |
![]() | SG1G336M6L011 | SG1G336M6L011 SAMWHA SMD or Through Hole | SG1G336M6L011.pdf | |
![]() | BT68561AKD | BT68561AKD BT CDIP48 | BT68561AKD.pdf | |
![]() | D800038-511 | D800038-511 HIT BGA | D800038-511.pdf | |
![]() | LO3360-JM-24 | LO3360-JM-24 OSRAM DIP | LO3360-JM-24.pdf | |
![]() | K6X1008C2B-BF55 | K6X1008C2B-BF55 SAMSUNG SOP32 | K6X1008C2B-BF55.pdf |