창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B41580A8689M3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B41560,80 Series | |
| PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B41580 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 68000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 63V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 5m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 19A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 7.8m옴 | |
| 리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
| 크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 4.201"(106.70mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 32 | |
| 다른 이름 | B41580A8689M3 B41580A8689M003 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B41580A8689M3 | |
| 관련 링크 | B41580A, B41580A8689M3 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | SMCJ300A | TVS DIODE 300VWM 486VC SMC | SMCJ300A.pdf | |
| 1274AS-H-2R2N=P3 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 8A 9.6 mOhm Max 2-SMD | 1274AS-H-2R2N=P3.pdf | ||
![]() | RE0603DRE071K69L | RES SMD 1.69KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RE0603DRE071K69L.pdf | |
![]() | RG1005N-1540-W-T1 | RES SMD 154 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005N-1540-W-T1.pdf | |
![]() | 43F7K0E | RES 7K OHM 3W 1% AXIAL | 43F7K0E.pdf | |
![]() | 1J06E05502820J | 1J06E05502820J N/A SMD or Through Hole | 1J06E05502820J.pdf | |
![]() | AM79C814VC | AM79C814VC N/A QFP | AM79C814VC.pdf | |
![]() | SST85LD0512T-120-C-LBZE | SST85LD0512T-120-C-LBZE SST BGA | SST85LD0512T-120-C-LBZE.pdf | |
![]() | 3N73 | 3N73 MOT CAN | 3N73.pdf | |
![]() | UAA3220TSDB-T | UAA3220TSDB-T NXP SMD or Through Hole | UAA3220TSDB-T.pdf | |
![]() | LM324ADTR2 | LM324ADTR2 ON TSSOP-16 | LM324ADTR2.pdf | |
![]() | HMT325U6BFR8C-H9N0 (DDR3 2G/1333 Long-Di | HMT325U6BFR8C-H9N0 (DDR3 2G/1333 Long-Di HYNIX SMD or Through Hole | HMT325U6BFR8C-H9N0 (DDR3 2G/1333 Long-Di.pdf |