창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B41580A8689M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41560,80 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B41580 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 68000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 63V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 5m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 3000시간(105°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 19A @ 100Hz | |
임피던스 | 7.8m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 4.201"(106.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 32 | |
다른 이름 | B41580A8689M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B41580A8689M | |
관련 링크 | B41580A, B41580A8689M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | DS1708EPA | DS1708EPA DALLAS ORIGINAL | DS1708EPA.pdf | |
![]() | 2SD218 | 2SD218 NEC TO-3 | 2SD218.pdf | |
![]() | D55342K07B1F00R | D55342K07B1F00R HIT SMD or Through Hole | D55342K07B1F00R.pdf | |
![]() | D70236R-12 | D70236R-12 NEC PGA | D70236R-12.pdf | |
![]() | M62023P | M62023P Renesas SMD or Through Hole | M62023P.pdf | |
![]() | Z2S4A16I | Z2S4A16I STEC SMD or Through Hole | Z2S4A16I.pdf | |
![]() | RSF1WSJR-62-180R | RSF1WSJR-62-180R YAGEO SMD or Through Hole | RSF1WSJR-62-180R.pdf | |
![]() | MBC992-8AC052 | MBC992-8AC052 ORIGINAL QFP | MBC992-8AC052.pdf | |
![]() | AME8816AEDV330Z | AME8816AEDV330Z ANALOGMICROELECTRONICS SMD or Through Hole | AME8816AEDV330Z.pdf | |
![]() | W2A4YA150J4T2A | W2A4YA150J4T2A AVX SMD | W2A4YA150J4T2A.pdf | |
![]() | LP396ES-3.3 | LP396ES-3.3 NS TO263 | LP396ES-3.3.pdf | |
![]() | NTD24N06LG | NTD24N06LG ONS DPAK(TO-252) | NTD24N06LG .pdf |