창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B41458B4150M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B41456,58 Series | |
| PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B41458 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 150000µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 16V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 8.4m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 15A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 6.8m옴 | |
| 리드 간격 | 0.874"(22.20mm) | |
| 크기/치수 | 2.032" Dia(51.60mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 3.217"(81.70mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 72 | |
| 다른 이름 | B41458B4150M000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B41458B4150M | |
| 관련 링크 | B41458B, B41458B4150M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | SIT5001AC-3E-33N0-37.500000T | OSC XO 3.3V 37.5MHZ NC | SIT5001AC-3E-33N0-37.500000T.pdf | |
![]() | P1812R-682H | 6.8µH Unshielded Inductor 600mA 472 mOhm Max Nonstandard | P1812R-682H.pdf | |
![]() | AT0603DRD071K74L | RES SMD 1.74KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD071K74L.pdf | |
![]() | L5A9304-005AQ0PPZFAA | L5A9304-005AQ0PPZFAA LSI BGA | L5A9304-005AQ0PPZFAA.pdf | |
![]() | CRF73-2BT1822B | CRF73-2BT1822B ORIGINAL SMD | CRF73-2BT1822B.pdf | |
![]() | IDT71024S-20TYI | IDT71024S-20TYI IDT SOJ | IDT71024S-20TYI.pdf | |
![]() | AT3401GD | AT3401GD AT SOT-23L | AT3401GD.pdf | |
![]() | TL750M10CKTER | TL750M10CKTER TI SMD or Through Hole | TL750M10CKTER.pdf | |
![]() | :Q1-3-0-20 | :Q1-3-0-20 OSRAM SMD or Through Hole | :Q1-3-0-20.pdf | |
![]() | TRY-110D-S-2C-N | TRY-110D-S-2C-N TTI SMD or Through Hole | TRY-110D-S-2C-N.pdf | |
![]() | XV66120 | XV66120 ORIGINAL DIP-42L | XV66120.pdf | |
![]() | 216PDAGA23FG/X600 | 216PDAGA23FG/X600 ATI BGA | 216PDAGA23FG/X600.pdf |