창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B41231A5688M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B41231 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B41231 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 6800µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 25V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 3.06A @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
크기/치수 | 0.866" Dia(22.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.260"(32.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
표준 포장 | 320 | |
다른 이름 | B41231A5688M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B41231A5688M | |
관련 링크 | B41231A, B41231A5688M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | S1812-122J | 1.2µH Shielded Inductor 725mA 380 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-122J.pdf | |
![]() | 28F192SJ3AM | 28F192SJ3AM INTEL BGA | 28F192SJ3AM.pdf | |
![]() | MSM51V18165F-60TK7RI | MSM51V18165F-60TK7RI OKI SOP EDO | MSM51V18165F-60TK7RI.pdf | |
![]() | RC1608J391 | RC1608J391 SAMSUNG RES | RC1608J391.pdf | |
![]() | R0341-01 | R0341-01 ORIGINAL DIP-16 | R0341-01.pdf | |
![]() | RP103Q282D-TR-F | RP103Q282D-TR-F RICOH SC-88A | RP103Q282D-TR-F.pdf | |
![]() | K8P2815UQB-PI4B | K8P2815UQB-PI4B SAMSUNG FBGA | K8P2815UQB-PI4B.pdf | |
![]() | PMS430E325 | PMS430E325 ORIGINAL SMD or Through Hole | PMS430E325.pdf | |
![]() | 74LVC161284DGGR | 74LVC161284DGGR TI TSSOP-48 | 74LVC161284DGGR.pdf | |
![]() | 377CDE | 377CDE AT&T DIP | 377CDE.pdf | |
![]() | DX-5551 | DX-5551 PLATO SMD or Through Hole | DX-5551.pdf |