창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B32669C3334K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B32669 Series | |
| PCN 설계/사양 | B32(5679)B333 Series 02/May/2014 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 필름 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B32669 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 0.33µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 정격 전압 - AC | 250V | |
| 정격 전압 - DC | - | |
| 유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 축방향 | |
| 크기/치수 | - | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 종단 | PC 핀 | |
| 리드 간격 | - | |
| 응용 제품 | EMI, RFI 억제 | |
| 특징 | - | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | B32669C3334K000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B32669C3334K | |
| 관련 링크 | B32669C, B32669C3334K 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | VB20120SG-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB | VB20120SG-E3/4W.pdf | |
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![]() | CW0102R700JB12 | RES 2.7 OHM 13W 5% AXIAL | CW0102R700JB12.pdf | |
![]() | STW81103AT | RF IC Frequency Synthesizer General Purpose 2.5GHz ~ 5GHz Integrated VCO 28-VFQFPN | STW81103AT.pdf | |
![]() | IRFR9310TRL | IRFR9310TRL IR SMD | IRFR9310TRL.pdf | |
![]() | E52HA0.75-E-A | E52HA0.75-E-A MITSUBIS SMD or Through Hole | E52HA0.75-E-A.pdf | |
![]() | LM3502ITLX-35/NOPB | LM3502ITLX-35/NOPB NATIONAL BGA10 | LM3502ITLX-35/NOPB.pdf | |
![]() | SCC2692AC1B28 | SCC2692AC1B28 PHIL QFP | SCC2692AC1B28.pdf | |
![]() | T345N1000EOC | T345N1000EOC AEG module | T345N1000EOC.pdf | |
![]() | ISPLSI2064V-80LT10 | ISPLSI2064V-80LT10 ORIGINAL QFP | ISPLSI2064V-80LT10.pdf | |
![]() | ANR8Y331J | ANR8Y331J ORIGINAL SMD or Through Hole | ANR8Y331J.pdf | |
![]() | XQ4010E-4xxxx | XQ4010E-4xxxx Xilinx SMD or Through Hole | XQ4010E-4xxxx.pdf |