창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B32656S2104J564 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B32656S Series | |
| 주요제품 | Film Capacitors | |
| PCN 설계/사양 | B32(5679)B333 Series 02/May/2014 | |
| PCN 포장 | MKT, MKP Type Laser Marking 26/Apr/2013 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 필름 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B32656S | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 0.1µF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 정격 전압 - AC | 800V | |
| 정격 전압 - DC | 2000V(2kV) | |
| 유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 20m옴 | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 직사각 박스 | |
| 크기/치수 | - | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 종단 | 스크루 단자 | |
| 리드 간격 | 1.476"(37.50mm) | |
| 응용 제품 | 스너버 | |
| 특징 | 낮은 ESL | |
| 표준 포장 | 72 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B32656S2104J564 | |
| 관련 링크 | B32656S21, B32656S2104J564 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
|  | VJ1812Y392JBGAT4X | 3900pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y392JBGAT4X.pdf | |
|  | 20KPA52A-B | TVS DIODE 52VWM 85.8VC P600 | 20KPA52A-B.pdf | |
|  | 520M15DT38M4000 | 38.4MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2.5mA | 520M15DT38M4000.pdf | |
|  | CRCW080511R8FKEB | RES SMD 11.8 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080511R8FKEB.pdf | |
| .jpg) | RCS0805549RFKEA | RES SMD 549 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS0805549RFKEA.pdf | |
|  | UA931521 | UA931521 ICS SSOP48 | UA931521.pdf | |
|  | FN4L4Z-T1B-A/JM | FN4L4Z-T1B-A/JM NEC SOT-23 | FN4L4Z-T1B-A/JM.pdf | |
|  | DS36956 | DS36956 ORIGINAL c | DS36956.pdf | |
|  | BDT-3212-3R8(25V)- | BDT-3212-3R8(25V)- BUJEON SMD or Through Hole | BDT-3212-3R8(25V)-.pdf | |
|  | G4FN-1112TP-HT-12V | G4FN-1112TP-HT-12V ORIGINAL SMD or Through Hole | G4FN-1112TP-HT-12V.pdf | |
|  | MB113T042 | MB113T042 FUJ DIP | MB113T042.pdf |