창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B32620A6332K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B32620,21 Series | |
| PCN 설계/사양 | B32(5679)B333 Series 02/May/2014 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 필름 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B32620 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 3300pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 정격 전압 - AC | 400V | |
| 정격 전압 - DC | 630V | |
| 유전체 소재 | 폴리프로필렌(PP), 금속화 - 스택형 | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 방사 | |
| 크기/치수 | 0.394" L x 0.157" W(10.00mm x 4.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.335"(8.50mm) | |
| 종단 | PC 핀 | |
| 리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
| 응용 제품 | 높은 펄스, DV/DT | |
| 특징 | - | |
| 표준 포장 | 6,000 | |
| 다른 이름 | B32620A6332K000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B32620A6332K | |
| 관련 링크 | B32620A, B32620A6332K 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | CL10F473ZB8NNND | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10F473ZB8NNND.pdf | |
![]() | VJ1210Y123KBBAT4X | 0.012µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210Y123KBBAT4X.pdf | |
![]() | MCR18ERTF6800 | RES SMD 680 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF6800.pdf | |
![]() | EETUQ2V681KJ | EETUQ2V681KJ Panasonic DIP | EETUQ2V681KJ.pdf | |
![]() | ADV7120KS150 | ADV7120KS150 AD QFP | ADV7120KS150.pdf | |
![]() | 63V1000 16X25 | 63V1000 16X25 CHONG SMD or Through Hole | 63V1000 16X25.pdf | |
![]() | IDT7282L25PA | IDT7282L25PA IDT TSSOP-56 | IDT7282L25PA.pdf | |
![]() | MMBT945LT1G | MMBT945LT1G ON SOT-23 | MMBT945LT1G.pdf | |
![]() | K58257BM-12LLX | K58257BM-12LLX SAMSUNG TSOP | K58257BM-12LLX.pdf | |
![]() | 8843.8123.1 | 8843.8123.1 SCHURTER SMD or Through Hole | 8843.8123.1.pdf | |
![]() | XQV1000-2BG256I | XQV1000-2BG256I XILINX BGA | XQV1000-2BG256I.pdf | |
![]() | MM9100MMU-F-MSP | MM9100MMU-F-MSP NS CQFP | MM9100MMU-F-MSP.pdf |