창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AZ23C3V0-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AZ23C2V7 - AZ23C51 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | - | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | AZ23C3V0DITR AZ23C3V0TR AZ23C3V0TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AZ23C3V0-7 | |
| 관련 링크 | AZ23C3, AZ23C3V0-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C2012JB2E103M125AA | 10000pF 250V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB2E103M125AA.pdf | |
![]() | RT1210CRB071K02L | RES SMD 1.02KOHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB071K02L.pdf | |
![]() | 943-1C-18DS | 943-1C-18DS ORIGINAL SMD or Through Hole | 943-1C-18DS.pdf | |
![]() | KUB4133-013070 | KUB4133-013070 HOSIDEN SMD or Through Hole | KUB4133-013070.pdf | |
![]() | MC100EL39DWG | MC100EL39DWG ONS SMD or Through Hole | MC100EL39DWG.pdf | |
![]() | GP1L51/GP1L51J0000F | GP1L51/GP1L51J0000F SHARP GAP3-DIP-4 | GP1L51/GP1L51J0000F.pdf | |
![]() | N0606YS200-240 | N0606YS200-240 WESTCODE Module | N0606YS200-240.pdf | |
![]() | MC485484DWG | MC485484DWG ORIGINAL SOP20 | MC485484DWG.pdf | |
![]() | 33510V10%S | 33510V10%S avetron SMD or Through Hole | 33510V10%S.pdf | |
![]() | RJJ-6.3V101ME3E | RJJ-6.3V101ME3E ELNA SMD or Through Hole | RJJ-6.3V101ME3E.pdf | |
![]() | IRFW640BTM_FP001 | IRFW640BTM_FP001 Fairchild SMD or Through Hole | IRFW640BTM_FP001.pdf |