창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-AVRM1005C6R8NT331N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | AVR Series Datasheet | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | AVR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 4.76V | |
배리스터 전압(통상) | 6.8V | |
배리스터 전압(최대) | 8.84V | |
전류 - 서지 | 24A | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | - | |
최대 DC 전압 | 3.5VDC | |
에너지 | 0.008J | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 445-174352-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | AVRM1005C6R8NT331N | |
관련 링크 | AVRM1005C6, AVRM1005C6R8NT331N 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | HBWS1005-5N6B | HBWS1005-5N6B MaxEcho SMD | HBWS1005-5N6B.pdf | |
![]() | 3W2MΩ | 3W2MΩ ORIGINAL SMD or Through Hole | 3W2MΩ.pdf |