창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-AUIRLR3410TRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | AUIRLR3410 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 Des Rev 22/Oct/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | D-Pak Leadframe BOM Update 26/Sep/2014 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP001523020 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | AUIRLR3410TRL | |
| 관련 링크 | AUIRLR3, AUIRLR3410TRL 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | PNM0805E1001JBT0 | RES SMD 1K OHM 5% 1/5W 0805 | PNM0805E1001JBT0.pdf | |
![]() | S-80815CLMC-B6A-T2 | S-80815CLMC-B6A-T2 SEIKO SMD or Through Hole | S-80815CLMC-B6A-T2.pdf | |
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![]() | TLP250(D4-LF4)-F | TLP250(D4-LF4)-F Toshiba SMD or Through Hole | TLP250(D4-LF4)-F.pdf | |
![]() | SC1453ISK-3.3TR /5333 | SC1453ISK-3.3TR /5333 ST SOT-153 | SC1453ISK-3.3TR /5333.pdf | |
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![]() | M24128-BRMN6PT | M24128-BRMN6PT ST TSSOP8 | M24128-BRMN6PT.pdf | |
![]() | S5006M0010A1F-0405 | S5006M0010A1F-0405 YAGEO DIP | S5006M0010A1F-0405.pdf |